大(dà)家好，来看一则突发消息。

　　美光公(gōng)司在华销售的产品未(wèi)通过网络(luò)安全(quán)审(shěn)查

　　据网信办消息(xī)，日(rì)前，网络安全审(shěn)查(chá)办公室依法对(duì)美光公(gōng)司在华销售(shòu)产品进(jìn)行了(le)网络(luò)安(ān)全审查。

　　审查发现，美光公司产(chǎn)品存在较严重网络安全问题隐(yǐn)患，对(duì)我(wǒ)国关键信息(xī)食邑五百户是什么意思，半年食邑是什么意思基础设施供应链造成(chéng)重大安全风险，影响我国国家安全(quán)。为此，网络安全(quán)审查(chá)办(bàn)公室依法作(zuò)出(chū)不予(yǔ)通过网络安全(quán)审查的结论。按(àn)照《网络安全法》等法律法规，我(wǒ)国内(nèi)关(guān)键信息基础设(shè)施的运(yùn)营者应停止采购美(měi)光公司产品。

　　此次对美光公司产品进行网络安(ān)全(quán)审查，目的是防(fáng)范产品(pǐn)网络安(ān)全问题(tí)危(食邑五百户是什么意思，半年食邑是什么意思wēi)害国家关键信息基础设(shè)施(shī)安(ān)全，是维护国家安全的必(bì)要措施。中国坚定推进高水平对(duì)外开放，只要(yào)遵守中国法律法规要(yào)求，欢迎(yíng)各国(guó)企(qǐ)业、各(gè)类平台产品服(fú)务进入中(zhōng)国市场(chǎng)。

　　3月31日，中国网信网发文(wén)称，为保障关键信(xìn)息(xī)基础设施供应链(liàn)安全，防(fáng)范产品(pǐn)问题隐(yǐn)患造(zào)成网络安全风险，维护国家安全(quán)，依据《中(zhōng)华人民(mín)共和国国家安全法》《中华人(rén)民共和国网络安全法》，网(wǎng)络安全审查办(bàn)公室按照(zhào)《网络安全审查办法》，对美光公司（Micron）在(zài)华销售的(de)产(chǎn)品实施网(wǎng)络安全审查。

　　美光(guāng)是美国的存储芯(xīn)片行业龙头，也(yě)是全(quán)球(qiú)存储芯片巨头之一，2022年收入来自中国市(shì)场收入从此前高峰57％降至2022年约11％。根据市场咨询机(jī)构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电子、 铠侠、西部数据、SK 海力士、美光、Solidigm 在(zài)全球 NAND Flash （闪存）市场份额约为 96.76％，三(sān)星电子、 SK 海力(lì)士、美光在全球 DRAM （内存）市场份(fèn)额(é)约(yuē)为 94.35％。

　　A股上市公司(sī)中，江波龙(lóng)、佰维存储等(děng)公司披(pī)露过(guò)美光等国(guó)际存(cún)储厂商(shāng)为公司供应(yīng)商。

　　美光(guāng)在江波龙采购占比(bǐ)已经显著下降，至少已经不是主要(yào)大(dà)供应(yīng)商(shāng)。

　　公告显示， 2021年美光位列江波龙第(dì)一大存(cún)储晶圆供应(yīng)商(shāng)，采购约(yuē)31亿元，占(zhàn)比33.52％；2022年(nián)，江波龙第(dì)一大、第(dì)二(èr)大和(hé)第三大(dà)供应商采购金(jīn)额占比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙已经在存(cún)储产业链上下游建立国(guó)内外广泛合作。2022年年报显(xiǎn)示，江波龙与三星、美光、西部(bù)数据等主要存储晶圆原厂签(qiān)署(shǔ)了(le)长期合约(yuē)，确保存储(chǔ)晶圆(yuán)供应(yīng)的稳定性，巩固公(gōng)司在下游市场的供应(yīng)优势，公食邑五百户是什么意思，半年食邑是什么意思司(sī)也与国内国产存储晶圆原厂武汉长(zhǎng)江存(cún)储、合肥长鑫保(bǎo)持良好(hǎo)的(de)合作。

　　有(yǒu)券商此前(qián)就分析，如果美光在(zài)中国(guó)区(qū)销售(shòu)受(shòu)到限(xiàn)制，或将导致(zhì)下游客(kè)户(hù)转而采购国外(wài)三星、 SK海力(lì)士，国内长江(jiāng)存储、长(zhǎng)鑫(xīn)存储等竞对产品(pǐn)

　　分析(xī)称，长存、长鑫的上游设(shè)备厂或从中受益。存储器的(de)生(shēng)产已经演进到1Xnm、1Ynm甚至(zhì)1Znm的工艺。另外(wài)NAND Flash现在已经进入3D NAND时代，2 维到3维的(de)结构(gòu)转变使(shǐ)刻蚀和薄膜成为最关键、最大量的加工设备。3D NAND每层均(jūn)需要经过薄膜沉积工艺步骤，同时(shí)刻蚀目前前沿要刻到 60：1的深孔，未来可(kě)能会更深的孔或者沟槽，催生更多设备(bèi)需求。据(jù)东京电子披(pī)露，薄膜(mó)沉积设(shè)备及(jí)刻蚀(shí)占3D NAND产线资(zī)本开支合计为75％。自(zì)长江存储被加入美国限制(zhì)名单，设备国(guó)产(chǎn)化进程加速，看好拓荆科技（薄膜沉(chén)积）等相关公司份额提升，以及存储业务占比较高的华(huá)海清科（CMP）、盛美上海(hǎi)（清洗）等收入增长。

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