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　　美光公(gōng)司在华销售的产品未通过网(wǎng)络安(ān)全审查

　　据网信办消(xiāo)息，日(rì)前，网络安全审查办公室依法对美光公司在华销售产品进(jìn)行了网络安全审查。

　　审查(chá)发现，美(měi)光公(gōng)司产(chǎn)品(pǐn)存在较(jiào)严重网络安(ān)全问题隐患，对(duì)我(wǒ)国关(guān)键信息基(jī)础设(shè)施供应链造成重大安全风险，影响我国国家安全。为此，网络安全(quán)审查(chá)办(bàn)公室(shì)依法作出不予通过(guò)网(wǎng)络安全(quán)审查的结(jié)论。按照《网络安全法》等法律法(fǎ)规，我国内关键信(xìn)息基(jī)础设施的运(yùn)营者应停止采购美光公(gōng)司产品(pǐn)。

　　此次对美光公司(sī)产品进行(xíng)网络(luò)安全审查，目的是防范产品网络安全问(wèn)题危害国(guó)家关键信息基础设施安全(quán)，是维护(hù)国家安(ān)全的必(bì)要措施(shī)。中国坚定推(tuī)进高水平对(duì)外(wài)开(kāi)放，只要遵(zūn)守中国(guó)法律法(fǎ)规(guī)要求，欢迎(yíng)各(gè)国企业、各类平台产品服(fú)务进入(rù)中国市场。

　　3月(yuè)31日，中国(guó)网(wǎng)信网发文称，为保障关键信息基础设施(shī)供(gōng)应链安全，防范产品问题隐(yǐn)患造成(chéng)网络安全风(fēng)险，维护国家安全，依据《中华人民(mín)共和国国家安全法》《中华人民共和(hé)国网(wǎng)络安全法(fǎ)》，网络安全审查办公室(shì)按照(zhào)《网络安全(quán)审查(chá)办法(fǎ)》，对(duì)美光(guāng)公司（Micron）在华销售(shòu)的产品实施网络安全审(shěn)查(chá)。

　　美(měi)光是美国的存(cún)储芯(xīn)片行业龙头，也是全球存储芯片巨头(tóu)之(zhī)一，2022年收(shōu)入来自中国(guó)市场收入从此前高峰57％降至(zhì)2022年约11％。根(gēn)据市(shì)场咨询(xún)机构(gòu) Omdia（IHS Markit）统计，2021 年(nián)三星电子、 铠(kǎi)侠(xiá)、西部数据(jù)、SK 海(hǎi)力士、美(měi)光、Solidigm 在全(quán)球 NAND Flash （闪存）市(shì)场(chǎng)份额约为 96.76％，三星(xīng)电(diàn)子(zi)、 SK 海力士、美光(guāng)在全(quán)球 DRAM （内存）市场份额(é)约为 94.35％。

　　A股上市(shì)公司中，江波龙、佰(bǎi)维(wéi)存储(chǔ)等公司(sī)披露过美光等国际存储厂商为公司供应商。

　　美(měi)光在江波(bō)龙采购占比已经显著下降，至少已(yǐ)经不是(shì)主要大(dà)供应商。

　　公告显(xiǎn)示， 2021年美光位列江波(bō)龙第一大存储晶(jīng)圆供应商，采(cǎi)购约31亿(yì)元，占比33.52％；2022年，江波龙第一大、第二大和第三(sān)大供应商采购金额占比分(fēn)别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙已经在存储产业链(liàn)上下游建立国(guó)内外广泛天门中断楚江开的楚江指的是什么意思，天门中断楚江开的楚江指的是什么风景名胜合作。2022年(nián)年报显示，江波龙与三星(xīng)、美光、西部(bù)数(shù)据等主要存(cún)储晶圆原厂签署了长期合(hé)约(yuē)，确保存储晶圆(yuán)供应的稳定性，巩(gǒng)固公司在下(xià)游市(shì)场的供应优势，公司(sī)也与国内国产存储晶圆(yuán)原厂(chǎng)武汉长(zhǎng)江存储、合肥长(zhǎng)鑫(xīn)保持良好的合作。

　　有券商此前就分析，如果美光在(zài)中国(guó)区销售受到限(xiàn)制(zhì)，或将导致下游客户转而采购国外(wài)三(sān)星、 SK海力士，国(guó)内长(zhǎ天门中断楚江开的楚江指的是什么意思，天门中断楚江开的楚江指的是什么风景名胜ng)江存(cún)储、长鑫(xīn)存储等竞(jìng)对(duì)产品

　　分析称(chēng)，长存、长(zhǎng)鑫的上游设备(bèi)厂或从中受益。存储器(qì)的生(shēng)产(chǎn)已经(jīng)演进到(dào)1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另外NAND Flash现在已经进入3D NAND时代，2 维到3维的(de)结构转变使刻蚀和(hé)薄(báo)膜(mó)成为最关键、最大量的加工设(shè)备。3D NAND每层均需要经过薄膜(mó)沉积工艺步骤，同时刻(kè)蚀目(mù)前前沿要刻到(dào) 60：1的深(shēn)孔，未(wèi)来可能会更深的孔(kǒng)或(huò)者(zhě)沟槽，催生更(gèng)多设(shè)备需求。据东京电子(zi)披露，薄膜沉积设备及刻蚀(shí)占(zhàn)3D NAND产线(xiàn)资本开支合(hé)计为75％。自长江存储(chǔ)被加入美国限制名单，设备国产化进程加(jiā)速，看好拓荆科技（薄(báo)膜沉(chén)积）等(děng)相关公(gōng)司份额(é)提升，以(yǐ)及存储业务占比(bǐ)较高的华海(hǎi)清科（CMP）、盛美上海（清洗）等收入增长。

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