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　　美光(guāng)公司(sī)在华销售的产品未通过网络安全(quán)审查(chá)

　　据网信办消息，日(rì)前，网络安全审查(chá)办公室依法对美光公司在华销售产品进行了网络安全审查。

　　审(shěn)查发(fā)现，美光公司产品(pǐn)存在较严重网络安全问题隐患，对我(wǒ)国(guó)关(guān)键信息基础设施供应链造成重大(dà)安全风险(xiǎn)，影响我(wǒ)国国家安(ān)全。为此，网络安全(quán)审(shěn)查办(bàn)公室依法作出(chū)不予(yǔ)通(tōng)过网络(luò)安全审查的结论。按照(zhào)《网络(luò)安全法》等法(fǎ)律(lǜ)法规，我(wǒ)国内(nèi)关键(jiàn)信(xìn)息基础(chǔ)设施的运(yùn)营者应停(tíng)止采购美光公司产品。

　　此(cǐ)次对美光(guāng)公司产品进行网(wǎng)络(luò)安(ān)全审查(chá)，目的是防(fáng)范产品网(wǎng)络安全(quán)问题危害国家(jiā)关键信(xìn)息(xī)基(jī)础设施安(ān)全，是维(wéi)护(hù)国家安(ān)全(quán)的必要措施。中国坚定推进高(gāo)水平对(duì)外开放，只一滴水多少ml 一滴水多少克要遵(zūn)守中国法(fǎ)律法规(guī)要求(qiú)，欢(huān)迎各国(guó)企业、各类平台产品(pǐn)服务进(jìn)入中(zhōng)国市场。

　　3月(yuè)31日，中国网(wǎng)信网发文称，为保障关键信(xìn)息基(jī)础设(shè)施供(gōng)应链安全，防(fáng)范(fàn)产品问(wèn)题隐患造成网(wǎng)络安全风险，维护(hù)国家安全，依据《中华人民共(gòng)和(hé)国国家安全法》《中(zhōng)华人民共(gòng)和(hé)国网(wǎng)络安全(quán)法》，网络安全审查(chá)办公室按照《网(wǎng)络安全审查办法(fǎ)》，对美光公司（Micron）在华销售(shòu)的产品实(shí)施网(wǎng)络安全审查。

　　美光(guāng)是美国的存储芯片行业龙(lóng)头，也(yě)是全球存(cún)储芯(xīn)片巨头之(zhī)一，2022年收(shōu)入(rù)来自中(zhōng)国市场收入从(cóng)此前高(gāo)峰57％降至2022年约11％。根据市场咨(zī)询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电子、 铠侠、西部数据、SK 海力士、美光、Solidigm 在(zài)全球 NAND Flash （闪存）市场份额约为 96.76％，三星电子、 SK 海(hǎi)力士、美光在全球 DRAM （内存）市(shì)场份额约为 94.35％。

　　A股上市(shì)公司中(zhōng)，江波龙(lóng)、佰维一滴水多少ml 一滴水多少克存储(chǔ)等公司披露(lù)过美光等国际(jì)存(cún)储厂商为公司供应商。

　　美光在江波龙采购占比已经(jīng)显(xiǎn)著(zhù)下降(jiàng)，至少已经不是主要大(dà)供应商。

　　公告显示， 2021年美光位列江波龙第一大(dà)存储晶圆(yuán)供应商，采购约31亿元，占比33.52％；2022年，江波龙(lóng)第一大、第二大和第三大供应商采(cǎi)购金额占比分(fēn)别(bié)是(shì)26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波(bō)龙已经在存储产业链上(shàng)下游建立国内外广泛(fàn)合作。2022年年报显(xiǎn)示，江波龙与三星、美光、西部数据等主要(yào)存储晶圆原厂签(qiān)署了长期合约，确保存储晶圆供应的稳定性，巩(gǒng)固公司在(zài)下游市场的供(gōng)应优势(shì)，公司也(yě)与国(guó)内国产存(cún)储晶圆原厂武汉(hàn)长江(jiāng)存(cún)储、合肥(féi)长鑫保持良好的(de)合作。

　　有券商此前就分析，如果美光在(zài)中国区(qū)销售受到(dào)限制，或将导致下游(yóu)客户转而(ér)采购国(guó)外(wài)三星、 SK海力士(shì)，国(guó)内长江存储、长鑫存储(chǔ)等竞对产品

　　分析称，长存、长鑫的上游设备厂或从中受益。存储器的生产已(yǐ)经演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工(gōng)艺。另外NAND Flash现在(zài)已(yǐ)经进入3D NAND时代，2 维(wéi)到3维的结构转变使刻(kè)蚀(shí)和薄(báo)膜成为最(zuì)关键(jiàn)、最大量的加工设备。3D NAND每一滴水多少ml 一滴水多少克层(céng)均需要经过薄膜沉积工艺步骤，同时刻蚀目前前沿(yán)要刻到 60：1的深孔，未来(lái)可能会更深的孔或者(zhě)沟(gōu)槽，催生更(gèng)多(duō)设备需(xū)求。据东京(jīng)电子披露，薄(báo)膜沉积(jī)设备(bèi)及(jí)刻蚀占3D NAND产(chǎn)线资本开支(zhī)合(hé)计(jì)为75％。自长江(jiāng)存(cún)储被加入(rù)美国(guó)限制名单(dān)，设备国产化进程加速，看好拓荆科技(jì)（薄膜沉(chén)积）等相关(guān)公(gōng)司份额提(tí)升，以及(jí)存储业务占比较高的华(huá)海(hǎi)清科（CMP）、盛美上(shàng)海（清洗(xǐ)）等收入增长。

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