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　　美光公(gōng)司在(zài)华销售的产品未通(tōng)过网络安(ān)全审查

　　据网信办(bàn)消息(xī)，日(rì)前，网络安全(quán)审查(chá)办公室依(yī)法对(duì)美光公司(sī)在(zài)华销售(shòu)产品(pǐn)进行(xíng)了网络安全审查。

　　审查发现，美光(guāng)公司产(chǎn)品存在(zài)较严重(zhòng)网(wǎng)络安(ān)全(quán)问题隐患，对我国关(guān)键信息基(jī)础(chǔ)设施供应链造成重大(dà)安全风(fēng)险，影响我(wǒ)国国家安全。为此(cǐ)，网络安全审查办公室依法作出不予通过(guò)网(wǎng)络安(ān)全审查的结论。按(àn)照《网络安全法》等(děng)法律法规，我国内(nèi)关键(jiàn)信息基础(chǔ)设(shè)施(shī)的运(yùn)营者应(yīng)停(tíng)止采购美(měi)光公(gōng)司产品。

　　此次对美光公司产(chǎn)品进行网络安全(quán)审(shěn)查，目(mù)的(de)是防范(fàn)产(chǎn)品网络安全问题危害国家关(guān)键信息基(jī)础(chǔ)设施安全，是维护国家安(ān)全(quán)的必要措施。中国(guó)坚定(dìng)推进高水平对(duì)外开放，只要遵守中国(guó)法律双曲线虚轴的位置，双曲线虚轴有什么意义法规要求，欢迎各国企(qǐ)业、各类平(píng)台(tái)产(chǎn)品服务进入(rù)中国市场。

　　3月(yuè)31日，中(zhōng)国(guó)网(wǎng)信网发文称，为保障(zhàng)关(guān)键信息(xī)基(jī)础设施双曲线虚轴的位置，双曲线虚轴有什么意义供应链安全，防(fáng)范产(chǎn)品问题隐患造成网络安全(quán)风险，维护国家安全，依(yī)据《中华人民共和国国家(jiā)安(ān)全(quán)法》《中华人民共和国(guó)网络安(ān)全法》，网络安全审查办(bàn)公室按照《网络安全(quán)审查办法》，对美(měi)光公司(sī)（Micron）在华销售的(de)产品实施网络安全审(shěn)查。

　　美光是美国的存(cún)储芯片行业龙(lóng)头(tóu)，也是全(quán)球存储芯片巨头(tóu)之一(yī)，2022年收入来自(zì)中国市场收(shōu)入从此前高峰57％降至2022年约11％。根据市场咨(zī)询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三(sān)星电子、 铠侠、西(xī)部数据、SK 海(hǎi)力士、美光(guāng)、Solidigm 在(zài)全(quán)球 NAND Flash （闪存(cún)）市场份额约(yuē)为 96.76％，三星(xīng)电子(zi)、 SK 海(hǎi)力士、美光在全(quán)球 DRAM （内存）市场份额约为 94.35％。

　　A股(gǔ)上市公司(sī)中，江波龙(lóng)、佰(bǎi)维存储等公(gōng)司披(pī)露过美光等国际存(cún)储厂商为公司(sī)供应商。

　　美光在江波龙采购占比已经显著下降，至(zhì)少已经不是(shì)主要大(dà)供(gōng)应(yīng)商。

　　公告(gào)显示， 2021年美光位列江波龙第一(yī)大存(cún)储晶圆(yuán)供应商，采购约31亿元，占比(bǐ)33.52％；2022年，江(jiāng)波龙第一(yī)大、第(dì)二大和第(dì)三大供应商采购金额(é)占比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙已经在存储产业链上(shàng)下游建立国内外广泛合作。2022年年报显(xiǎn)示，江波龙与三星、美光、西部(bù)数据(jù)等主(zhǔ)要存储晶圆原厂签署了长(zhǎng)期合约，确保存储(chǔ)晶圆供应的稳定性，巩(gǒng)固公司在下游市场(chǎng)的供(gōng)应(yīng)优(yōu)势，公司也与国内国产(chǎn)存储(chǔ)晶圆原厂(chǎng)武汉长江存储、合(hé)肥长鑫保持良(liáng)好的合作。

　　有券(quàn)商此前(qián)就(jiù)分析(xī)，如果美光在中(zhōng)国区销售(shòu)受到限制，或将导致下游客(kè)户转而采购国外三星、 SK海力士，国内长江存储、长鑫存储等竞对产品

　　分析称(chēng)，长(zhǎng)存、长鑫的上游设备厂(chǎng)或从中(zhōng)受益。存储器的生产已(yǐ)经(jīng)演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺(yì)。另外NAND Flash现(xiàn)在已经进入3D NAND时代，2 维到3维的结(jié)构转变(biàn)使刻蚀和薄膜成(chéng)为最(zuì)关键(jiàn)、最大量的加工设备。3D NAND每层均(jūn)需要经过薄膜(mó)沉积工艺步骤，同时刻蚀目(mù)前前沿要刻到 60：1的深孔，未来可能会(huì)更深的孔或(huò)者沟槽，催生更多设备需求(qiú)。据东京电子披(pī)露，薄膜沉积设备(bèi)及刻蚀占3D NAND产线资本(běn)开支合计为75％。自长江(jiāng)存(cún)储被(bèi)加入(rù)美国限制名单，设备国产化进(jìn)程加速(sù)，看好(hǎo)拓(tuò)荆科技(jì)（薄膜沉积(jī)）等相关公(gōng)司份额提升，以及存储业务(wù)占比较高的华海(hǎi)清科（CMP）、盛美上海（清洗）等收入增长。

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