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n是正极还是负极,L是正极还是负极 半导体突发!中国出手:停止采购!

  大家好,来(lái)看(kàn)一则突发消息。

  美光公司在华销售(shòu)的产(chǎn)品未(wèi)通过网络安全审查

  据(jù)网信办(bàn)消息(xī),日前,网络安全(quán)审查办(bàn)公室依法对美光公司(sī)在华销售产(chǎn)品(pǐn)进行了(le)网络安(ān)全审(shěn)查。

  审查发现,美光公司产品存在较严(yán)重网络(luò)安全问题隐患,对(duì)我国关键(jiàn)信息基础设(shè)施供应链造成重(zhòng)大安全风险,影响我国国家安全。为此(cǐ),网络安全审查(chá)办公室依法(fǎ)作(zuò)出(chū)不(bù)予通过网(wǎng)络安全审查的结论。按照《网络安全(quán)法》等(děng)法律法规,我国内关键信息(xī)基(jī)础设施的运(yùn)营者(zhě)应(yīng)停止(zhǐ)采购美光(guāng)公司产品。

  此次对美光公司产品(pǐn)进行(xíng)网络安全审查(chá),目的是(shì)防范(fn是正极还是负极,L是正极还是负极àn)产品网络(luò)安全问题(tí)危害国家关键(jiàn)信息基础设(shè)施安全,是(shì)维(wéi)护国家安全的必要措施。中国(guó)坚定推进高水平对(duì)外开放,只要遵守中国(guó)法(fǎ)律法规要(yào)求,欢迎(yíng)各国企业、各类平台产品服务(wù)进入中国市(shì)场。

  半导(dǎo)体突发!中(zhōng)国出手:停止采购!

  3月31日,中国网信网发文称(chēng),为保障关键(jiàn)信(xìn)息基础设施供应链(liàn)安全,防(fáng)范产品问(wèn)题隐患造成网络安(ān)全风险,维护(hù)国家安全(quán),依据《中华人民共和(hé)国(guó)国家安全法》《中华(huá)人民共和国网络(luò)安全法》,网络安全审查办公室按照《网络(luò)安全(quán)审(shěn)查(chá)办法》,对美光公(gōng)司(Micron)在华(huá)销售的产品实施网络安全审查。

  半导体突发!中国出手:停止采购!

  美光(guāng)是美国的存储芯片行业(yè)龙头,也是全球存(cún)储芯片巨头之一,2022年收入来(lái)自中国市场收(shōu)入(rù)从此前高(gāo)峰57%降至2022年约11%。根据市场咨询机(jī)构(gòu) Omdia(IHS Markit)统计,2021 年三星电子、 铠侠、西部数据、SK 海(hǎi)力士、美(měi)光、Solidigm 在全(quán)球 NAND Flash (闪存)市场份(fèn)额约为(wèi) 96.76%,三星(xīng)电子、 SK 海力士、美光在(zài)全球 DRAM (内存)市场(chǎng)份额约为 94.35%。

  A股上市公司中,江波(bō)龙、佰维(wéi)存储等公司披露(lù)过美光等(děng)国际存储厂商为公(gōng)司供应商。

  美光在江波龙(lóng)采(cǎi)购占比已经显著下降(jiàng),至少已经不是主要大(dà)供应(yīng)商。

  公告显示, 2021年美光位(wèi)列江波龙第一大存储晶圆供应商(shāng),采购约31亿元,占比33.52%;2022年,江波龙第一大、第二(èr)大和第三(sān)大供应商采(cǎi)购(gòu)金额占比分别是26.28%、22.85%和5.76%。

  目前江波龙已(yǐ)经在(zài)存储产业链(liàn)上下游(yóu)建(jiàn)立国(guó)内(nèi)外广泛合作。2022年年(nián)报显示(shì),江波(bō)龙(lóng)与三(sān)星、美光、西(xī)部数(shù)据等主要(yào)存储晶圆n是正极还是负极,L是正极还是负极原厂签署了长期合约,确保存储晶圆供应的稳(wěn)定性(xìng),巩固公(gōng)司在下(xià)游市场的(de)供应优势,公司也与(yǔ)国内国产存储晶圆原厂武汉长江存(cún)储、合肥长(zhǎng)鑫保持良好的(de)合作。

  有(yǒu)券商(shāng)此前(qián)就分析(xī),如(rú)果美光在(zài)中国区销售受到限制,或将(jiāng)导致下游客户转而(ér)采(cǎi)购国外三(sān)星、 SK海力(lì)士(shì),国内长江存(cún)储、长鑫存储等竞对产品

  分析(xī)称,长存(cún)、长鑫的上游设备(bèi)厂(chǎng)或(huò)从中受(shòu)益(yì)。存储器的生产已经演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺(yì)。另外NAND Flash现在已经(jīng)进入3D NAND时代,2 维到3维的结构转变使刻蚀和薄膜(mó)成为最(zuì)关键(jiàn)、最大量的加工设备。3D NAND每层均需要经(jīng)过薄膜沉(chén)积工(gōng)艺步骤,同时刻蚀目前前沿要刻到 60:1的深孔(kǒng),未来可能会更深的(de)孔或者(zhě)沟槽,催生更(gèng)多设备需求。据东京(jīng)电子披露,薄(báo)膜(mó)沉积设(shè)备及刻蚀占3D NAND产线资本(běn)开支合计为75%。自长江存储被加入美国限制(zhì)名单,设(shè)备(bèi)国(guó)产化进(jìn)程加速(sù),看(kàn)好拓(tuò)荆科技(薄膜沉积)等相(xiāng)关(guān)公司(sī)份(fèn)额提升,以及存储业务占(zhàn)比较高的华海清科(CMP)、盛美上海(清(qīng)洗(xǐ))等收入(rù)增(zēng)长。

 

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