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　　美光公司在华(huá)销(xiāo)售的(de)产品未通过网络安(ān)全审查

　　据网信(xìn)办(bàn)消息，日前，网络安全审查办公室依法对美光公(gōng)司在华销售产品进行了网络安全(quán)审(shěn)查。

　　审查发现(xiàn)，美光(guāng)公司产(chǎn)品存在较严重(zhòng)网络安全问题(tí)隐患，对我国关键信息基础设施(shī)供应(yīng)链造(zào)成重大安全风险，影响(xiǎng)我国国(guó)家安全。为此，网络安全审查办公(gōng)室依法作出(chū)不予通过(guò)网络安全审查的结论。按照(zhào)《网络鲜衣怒马少年时,不负韶华行且知，鲜衣怒马少年时全诗谁写的安(ān)全法》等法(fǎ)律法规，我国(guó)内关键信息基础设施的运营者应停止(zhǐ)采(cǎi)购美光公(gōng)司产品。

　　此次对美光公(gōng)司产品进行(xíng)网络安全审查，目的(de)是防范产品网络安全问题危害国家(jiā)关键信息(xī)基础设施安全，是(shì)维护国(guó)家安鲜衣怒马少年时,不负韶华行且知，鲜衣怒马少年时全诗谁写的全(quán)的(de)必要措施(shī)。中国(guó)坚定(dìng)推进(jìn)高(gāo)水平(píng)对外开放，只要遵守(shǒu)中国(guó)法律法(fǎ)规(guī)要求，欢迎各国企业、各(gè)类平(píng)台产(chǎn)品(pǐn)服(fú)务(wù)进入中国市场。

　　3月31日，中国网信(xìn)网发文称(chēng)，为保障(zhàng)关键(jiàn)信息(xī)基础设施(shī)供应(yīng)链安全，防范产品问题隐(yǐn)患造成网(wǎng)络安全风(fēng)险，维(wéi)护国家安全，依据(jù)《中华人民(mín)共(gòng)和(hé)国(guó)国家安全法(fǎ)》《中(zhōng)华人(rén)民共和国网络安全法(fǎ)》，网络安全审查办公室按照《网络安全审查办法》，对美光公司（Micron）在华销售的产(chǎn)品实施网络安全审查。

　　美光是美(měi)国的存储芯片行(xíng)业龙头，也是(shì)全球(qiú)存(cún)储芯片巨(jù)头之(zhī)一(yī)，2022年收入(rù)来自中国市场(chǎng)收入从(cóng)此前高峰57％降(jiàng)至2022年(nián)约11％。根据市场咨询(xún)机(jī)构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星(xīng)电(diàn)子、 铠侠(xiá)、西部数(shù)据、SK 海力(lì)士、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存(cún)）市场份(fèn)额约为 96.76％，三星电子、 SK 海力士、美光在全(quán)球 DRAM （内存）市场份额约为(wèi) 94.35％。

　　A股上(shàng)市公司中，江波(bō)龙、佰维存储等(děng)公司披露过美光等国际存储厂商为公司供应(yīng)商。

　　美光(guāng)在(zài)江(jiāng)波龙采购(gòu)占比已经显著下降(jiàng)，至少已经不是主要大供(gōng)应商。

　　公告显(xiǎn)示(shì)， 2021年美光位列(liè)江(jiāng)波龙第一大(dà)存(cún)储(chǔ)晶圆供应(yīng)商，采购(gòu)约31亿元，占比33.52％；2022年(nián)，江波龙第(dì)一(yī)大、第二大和第(dì)三大供应商采购(gòu)金(jīn)额(é)占比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目(mù)前江波龙(lóng)已经(jīng)在(zài)存储产业链上(shàng)下游建(jiàn)鲜衣怒马少年时,不负韶华行且知，鲜衣怒马少年时全诗谁写的立国内外广泛合(hé)作。2022年(nián)年报(bào)显示，江波(bō)龙(lóng)与三星、美光、西部数据(jù)等(děng)主要(yào)存储晶圆(yuán)原厂签署了长期(qī)合约(yuē)，确保存(cún)储晶(jīng)圆(yuán)供应的稳定(dìng)性，巩固公(gōng)司在下游市场的供应(yīng)优势，公司(sī)也与(yǔ)国内国产存储(chǔ)晶圆原厂(chǎng)武汉(hàn)长江存储(chǔ)、合(hé)肥长鑫(xīn)保持良好的合作。

　　有券商此前(qián)就(jiù)分析，如果(guǒ)美光在中国区销售(shòu)受到限制，或将导致下游客户转而(ér)采购国外三星、 SK海力士(shì)，国内长江存储(chǔ)、长鑫(xīn)存储等竞对产品

　　分析称(chēng)，长存、长鑫的上游设备厂(chǎng)或从中(zhōng)受益。存储器的生产已经演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工(gōng)艺。另外NAND Flash现在已经进入(rù)3D NAND时代，2 维到3维的结构转变使刻蚀和薄膜成为最关(guān)键、最(zuì)大量的加工设(shè)备。3D NAND每层(céng)均需要经过薄(báo)膜沉积工艺步骤，同时刻蚀目前前(qián)沿(yán)要(yào)刻到 60：1的深孔，未来可(kě)能会(huì)更深的孔或者沟槽(cáo)，催生(shēng)更多设备需求(qiú)。据东京电子(zi)披露(lù)，薄(báo)膜沉(chén)积设备及刻蚀占3D NAND产(chǎn)线资本(běn)开支合计为75％。自长江存储被(bèi)加入美国限制名单，设备国产(chǎn)化进程加速，看(kàn)好拓荆科技(jì)（薄膜沉积）等相(xiāng)关公(gōng)司份额提升，以(yǐ)及存储业(yè)务(wù)占比较高的华海清科（CMP）、盛美上海（清洗(xǐ)）等收入增长。

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