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钠的摩尔质量是多少,碳酸钠的摩尔质量 半导体突发!中国出手:停止采购!

  大(dà)家好(hǎo),来看(kàn)一则(zé)突发消(xiāo)息。

  美光公司在华销(xiāo)售(shòu)的产品未通(tōng)过网络安全审查

  据网信办消(xiāo)息,日前,网络安全(quán)审查办公室依(yī)法(fǎ)对美光公(gōng)司在华销售产品(pǐn)进行了网(wǎng)络钠的摩尔质量是多少,碳酸钠的摩尔质量安(ān)全审(shěn)查。

  审查发现,美光公司(sī)产品存在较严重网络安全问(wèn)题隐患(huàn),对我国关键信息基础设施供应链造成重大安全风险(xiǎn),影响我(wǒ)国国家安全。为(wèi)此(cǐ),网络安全(quán)审(shěn)查办公室依法(fǎ)作出不(bù)予通过网络安全(quán)审查的结论。按照(zhào)《网络安(ān)全法》等(děng)法律法规(guī),我国内关(guān)键信息基础设施(shī)的运(yùn)营者(zhě)应停止采购美光公司产品。

  此次对美(měi)光公司产品进行网络(luò)安全审查,目的是防范产(chǎn)品网络安全问题危害国家关(guān)键信息基础设施安全,是维护国家安(ān)全的(de)必要(yào)措施。中国坚定推进高水平对外(wài)开(kāi)放,只要(yào)遵(zūn)守中国法律法规要求,欢迎各国企(qǐ)业、各类平台(tái)产品服务进(jìn)入(rù)中国市场。

  半导体突(tū)发(fā)!中国(guó)出(chū)手:停止采购!

  3月31日,中国网信网发(fā)文称,为(wèi)保障关键(jiàn)信息基础设施供应(yīng)链安全,防范(fàn)产(chǎn)品问题隐(yǐn)患造成网络安全风险,维护国家安全,依据《中华人民(mín)共(gòng)和国(guó)国家安(ān)全(quán)法》《中华人民(mín)共和国网络安全法》,网络安全审查办(bàn)公室按(àn)照《网络安全(quán)审(shěn)查办法》,对美光公司(Micron)在华销售的产(chǎn)品实施网(wǎng)络(luò)安全审(shěn)查。

  半导体突(tū)发!中国出(chū)手(shǒu):停止采(cǎi)购!

  美(měi)光是美国(guó)的(de)存储芯(xīn)片行业龙头,也是全球(qiú)存(cún)储芯片巨(jù)头之一,2022年收入来(lái)自中(zhōng)国市(shì)场收(shōu)入从此(cǐ)前(qián)高(gāo)峰(fēng)57%降(jiàng)至2022年约11%。根据市(shì)场咨询机(jī)构(gòu) Omdia(IHS Markit)统(tǒng)计,2021 年三星电(diàn)子(zi)、 铠侠、西部数据、SK 海力士、美光、Solidigm 在(zài)全球 NAND Flash (闪存)市(shì)场份额约(yuē)为 96.76%,三星电子(zi)、 SK 海力(lì)士、美光(guāng)在全球 DRAM (内存)市(shì)场份额(é)约为 94.35%。

  A股上市公司中,江波龙、佰(bǎi)维(wéi)存储等公司披露过美光等国际存储厂商为公司供(gōng)应商。

  美光在江波龙采购占比(bǐ)已(yǐ)经显著下降,至少已经不(bù)是主要大供应商。

  公告显示, 2021年美光位列江波龙(lóng)第一大存储晶(jīng)圆供应(yīng)商,采购约31亿元,占比33.52%;2022年,江波龙第一(yī)大、第二大和第(dì)三大(dà)供应(yīng)商采(cǎi)购金(jīn)额占比分别是(shì)26.钠的摩尔质量是多少,碳酸钠的摩尔质量28%、22.85%和(hé)5.76%。

  目(mù)前江波龙已经在存储产(chǎn)业链上下游建立国内外广(guǎng)泛合(hé)作。2022年年报显示,江波龙与三星(xīng)、美光、西部数(shù)据等主要(yào)存储(chǔ)晶圆原厂签(qiān)署(shǔ)了(le)长期合约,确保存储晶圆供应的稳定性,巩固(gù)公司在下游市(shì)场(chǎng)的供应优势,公司也与国内国产存储晶圆原厂武汉长江存储、合肥长鑫保持良好的(de)合作。

  有券商此前就(jiù)分析,如果美光在(zài)中国区销(xiāo)售(shòu)受到限制,或将(jiāng)导致下游客户转而采购国外三星、 SK海力(lì)士,国(guó)内长江存储、长鑫存储等竞(jìng)对产品

  分析称,长存(cún)、长鑫(xīn)的(de)上游设备厂或从中受益。存储(chǔ)器的生产(chǎn)已经演进到1Xnm、1Ynm甚至(zhì)1Znm的工艺(yì)。另外NAND Flash现在已(yǐ)经进入3D NAND时代,2 维(wéi)到(dào)3维的结构转变使刻蚀和薄膜(mó)成(chéng)为最(zuì)关(guān)键、最(zuì)大量(liàng)的加工设备。3D NAND每层均(jūn)需要经过薄膜沉积(jī)工(gōng)艺步骤(zhòu),同(tóng)时(shí)刻(kè)蚀目前前(qián)沿要(yào)刻到 60:1的(de)深孔(kǒng),未来可能(néng)会更深(shēn)的孔或者沟槽,催生(shēng)更多设(shè)备需求。据东京电子披(pī)露,薄(báo)膜沉积设备及刻蚀(shí)占3D NAND产(chǎn)线资(zī)本开(kāi)支合计为(wèi)75%。自长江存储被加(jiā)入美国限制名单,设备(bèi)国产化进(jìn)程(chéng)加速,看好拓荆科技(薄膜沉积(jī))等相关公司份额提升,以(yǐ)及存储业务占(zhàn)比(bǐ)较高的(de)华(huá)海清科(CMP)、盛美(měi)上海(清洗)等收入增(zēng)长(zhǎng)。

 

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