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　　美光公司在华(huá)销售的产品未通(tōng)过网(wǎng)络安全审查

　　据网信(xìn)办消(xiāo)息，日前(qián)，网(wǎng)络(luò)安全审查办公室依法对美光(guāng)公司在华销售(shòu)产品进行了网络安全审查。

　　审(shěn)查发现(xiàn)，美(měi)光公(gōng)司(sī)产品(pǐn)存在较严重网络安全问题隐(yǐn)患，对我国关键(jiàn)信(xìn)息(xī)基础设(shè)施(shī)供应链造成重大安(ān)全风(fēng)险，影(yǐng)响我国国家安全(quán)。为此(cǐ)，网络安(ān)全审查办(bàn)公室依法作出不予(yǔ)通过网络安全(quán)审查的(de)结(jié)论。按照《网络安(ān)全法》等法律法规(guī)，我(wǒ)国内关键信息基(jī)础设施的运(yùn)营者应停止采购美光公司产品。

　　此次(cì)对(duì)美(měi)光公司产品(pǐn)进行网络安全(quán)审(shěn)查，目的是防范产品(pǐn)网络安全问题危害国家关键信息基(jī)础设施安(ān)全，是维(wéi)护国家安全的(de)必要措施。中(zhōng)国坚(jiān)定(dìng)推进高水(shuǐ)平(píng)对外开(kāi)放(fàng)，只(zhǐ)要遵守中国法律(lǜ)法规要求，欢迎各国(guó)企业(yè)、各类平台产品(pǐn)服务进入中国(guó)市场(chǎng)。

　　3月31日(rì)，中(zhōng)国(guó)网(wǎng)信网(wǎng)发文称，为保障关(guān)键信(xìn)息(xī)基(jī)础(chǔ)设施(shī)供应链安全，防范(fàn)产品问题隐患造成网络安全风(fēng)险，维(wéi)护国(guó)家安全，依据《中(zhōng)华人民共(gòng)和国国家安(ān)全(quán)法》《中华人民共(gòng)和国网络安全法》，网络(luò)安全审查办(bàn)公室按照《网络(luò)安全(quán)审查办法》，对美光公司（Micron）在(zài)华销售的产(chǎn)品实施网络安全(quán)审查。

　　美光是美国的存储芯片行业龙头，也(yě)是全球(qiú)存储芯片(piàn)巨头(tóu)之(zhī)一(yī)，2022年收入来(lái)自中国市场收入从此前高峰57％降至2022年约11％。根据市场咨(zī)询(xún)机(jī)构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星(xīng)电子、 铠侠(xiá)、西部(bù)数据、SK 海力士(shì)、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市场份额约为 96.76％，三星电子、 SK 海力士、美光在(zài)全球 DRAM （内存）市场份额约为 94.35％。

　　A股上(shàng)市(shì)公司(sī)中，江(jiāng)波龙(lóng)、佰维存(cún)储等公司披露过(guò)美光(guāng)等国际存储(chǔ)厂商为公(gōng)司供(gōng)应商。

　　美光在(zài)江波龙采购占比已经显著下(xià)降，至少已(yǐ)经不是主要大(dà)供(gōng)应商。

　　公告显示， 2021年美光位列(liè)江(jiāng)波龙(lóng)第一大存储晶(jīng)圆供应商，采购约31亿元，占比33.52％；2022年，江波龙第一大(dà)、第二大(dà)和第三大(dà)供应商采购金额占比分(fēn)别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前(qián)江波龙已经在存储(chǔ)产(chǎn)业链上(shàng)下游建(jiàn)立国内外(wài)广泛合作。2022年年(nián)报(bào)显示，江(jiāng)波(bō)龙与三星、美光、西部数(shù)据等主要存储晶圆原厂签署了(le)长期合约，确保存(cún)储(chǔ)晶圆供应(yīng)的稳定性(xìng)，琅琊榜霓凰为什么嫁给聂铎 言豫津最后娶宫羽了吗巩(gǒng)固公(gōng)司在(zài)下游市(shì)场的供(gōng)应优势，公司(sī)也(yě)与国内国(guó)产存储晶圆(yuán)原厂(chǎng)武汉长江存储(chǔ)、合肥长鑫保(bǎo)持(chí)良(liáng)好的(de)合作。

　　有(yǒu)券商此前琅琊榜霓凰为什么嫁给聂铎 言豫津最后娶宫羽了吗就(jiù)分析，如果美光(guāng)在中国区(qū)销售受到限(xiàn)制，或将导致(zhì)下游客户转而采购(gòu)国外三星、 SK海力士(shì)，国内长江存储、长鑫存储等(děng)竞(jìng)对产品

　　分析称，长存、长鑫的上游设备厂或从中(zhōng)受益。存储器(qì)的生产已(yǐ)经演进(jìn)到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺(yì)。另外NAND Flash现在(zài)已(yǐ)经进入3D NAND时(shí)代(dài)，2 维到3维的结构转变(biàn)使刻蚀(shí)和(hé)薄膜成为最关键(jiàn)、最大量的加(jiā)工设备。3D NAND每层均需要经过薄膜沉积工艺步骤，同时刻蚀目前(qián)前沿(yán)要刻到(dào) 60：1的深孔(kǒng)，未(wèi)来可(kě)能会更(gèng)深的(de)孔或者(zhě)沟槽，催生更(gèng)多设备需求(qiú)。据东京电子披露，薄膜沉积设备及刻蚀占3D NAND产(chǎn)线资本开支合计为75％。自(zì)长江存(cún)储(chǔ)被加入美国限制(zhì)名单，设备国产化进程加速，看好拓荆科技（薄膜沉积）等相关公司(sī)份额提升，以及存储业务(wù)占比较高的华海(hǎi)清科(kē)（CMP）、盛美上海(hǎi)（清洗）等(děng)收入增长。

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