大家好(hǎo)，来看一(yī)则突(tū)发消(xiāo)息。

　　美光公司(sī)在华销(xiāo)售的产品未通(tōng)过网络安全审查

　　据网信办消(xiāo)息(xī)，日前，网络(luò)安全审查(chá)办公室依法对美光公司在华销售产品进(jìn)行了网络安全审(shěn)查。

　　审查(chá)发现，美(měi)光公(gōng)司产品存在较严重网络安全问题隐患，对我国关键信息基(jī)础(chǔ)设施供应(yīng)链(liàn)造成重(zhòng)大安全风险(xiǎn)，影响我国国家安全。为此，网络(luò)安(ān)全审查办公室依法(fǎ)作出不予通(tōng)过网络安(ān)全(quán)审(shěn)查的结论。按照《网络(luò)安全法(fǎ)》等法律法规，我(wǒ)国(guó)内关键信息基础设施的运营者应停止(zhǐ)采购美光公司产品。

　　此次对(duì)美光(guāng)公司产品进(jìn)行(xíng)网(wǎng)络(luò)安全(quán)审查(chá)，目(mù)的(de)是防范产(chǎn)品网络安全问(wèn)题危(wēi)害国(guó)家关键(jiàn)信息基(jī)础设施安(ān)全(quán)，是维护国家安全的必要(yào)措(cuò)施。中国(guó)坚定(dìng)推(t500万越南盾是多少人民币，1人民币=uī)进高水平对外开(kāi)放，只(zhǐ)要遵守中国(guó)法律法规要求，欢迎各国企业、各类平(píng)台产品服务(wù)进入(rù)中国市场。

　　3月31日，中国网信网(wǎng)发文(wén)称，为保(bǎo)障关键信息基础(chǔ)设(shè)施(shī)供应链安(ān)全(quán)，防范产品问题隐患造(zào)成网(wǎng)络安全风险，维护国家安全(quán)，依据《中华人(rén)民共和国国(guó)家安全法》《中(zhōng)华(huá)人民(mín)共和国网(wǎng)络安全法》，网(wǎng)络(luò)安全审查办(bàn)公室按照《网络安全(quán)审(shěn)查办法》，对美(měi)光公司（Micron）在华销售的(de)产品(pǐn)实施网络安全审查。

　　美光(guāng)是(shì)美(měi)国的存储芯片行业龙头，也是(shì)全球存储(chǔ)芯片巨头之一(yī)，2022年收入来自(zì)中国市场收入(rù)从此前高(gāo)峰(fēng)57％降至(zhì)2022年约11％。根(gēn)据(jù)市(shì)场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年(nián)三星电子(zi)、 铠侠、西(xī)部(bù)数据、SK 海力士(shì)、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市场份(fèn)额约为 96.76％，三星电子、 SK 海力士、美光(guāng)在(zài)全球 DRAM （内存）市场份额约为 94.35％。

　　A股上市公司中，江波龙、佰维存储(chǔ)等公司(sī)披露过美光等国际存储厂商为公司(sī)供应商。

　　美光(guāng)在江(jiāng)波龙(lóng)采购占比已经显著下降，至(zhì)少已经不是主要(yào)大供应商(shāng)。

　　公告显(xi500万越南盾是多少人民币，1人民币=ǎn)示， 2021年美光位列(liè)江波龙第一大存储晶圆供应商，采购约(yuē)31亿元，占(zhàn)比33.52％；2022年，江波龙(lóng)第(dì)一大、第(dì)二大和第三大(dà)供(gōng)应商采购(gòu)金额占比分别是(shì)26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙已经在存储产业链上(shàng)下游建立国内(nèi)外(wài)广泛合作。2022年年报显示，江波(bō)龙(lóng)与三星、美光、西(xī)部数(shù)据等主要存储晶圆原厂签署了长期合约，确保(bǎo)存储晶圆供应的稳定性，巩固公(gōng)司在下游市(shì)场的(de)供应优势，公司也与国(guó)内(nèi)国产(chǎn)存储晶(jīng)圆原(yuán)厂武汉长江(jiāng)存储、合肥长鑫保(bǎo)持良好的合(hé)作。

　　有(yǒu)券商此前就分析，如(rú)果(guǒ)美光在中国区(qū)销售受到(dào)限制，或将导致下(xià)游客(kè)户转(zhuǎn)而(ér)采购国外三星(xīng)、 SK海力士(shì)，国内长江存储、长鑫存储等(děng)竞对(duì)产(chǎn)品

　　分析(xī)称(chēng)，长存、长鑫的上游设(shè)备厂(chǎng)或(huò)从中(zhōng)受益(yì)。存储器的生(shēng)产已经(jīng)演进到1Xnm、1Ynm甚至(zhì)1Znm的工(gōng)艺(yì)。另(lìng)外(wài)NAND Flash现在(zài)已经进入3D NAND时代，2 维到(dào)3维的(de)结构(gòu)转变使刻(kè)蚀和薄膜成为最关键、最大量的加工设备。3D NAND每(měi)层(céng)均(jūn)需要经过薄膜沉(chén)积工艺步骤，同时刻蚀(shí)目前(qián)前沿要刻到 60：1的深孔(kǒng)，未来可能会(huì)更(gèng)深(shēn)的孔或者沟槽，催生更多(duō)设备需求。据东京电子披露，薄膜沉积设备及刻蚀占3D NAND产(chǎn)线资本(běn)开支合计为75％。自长江存储被加入美国限制名单，设备国产化(huà)进程加速，看(kàn)好拓荆科技（薄膜沉积）等(děng)相关(guān)公司(sī)份额(é)提升，以及存储业(yè)务占比(bǐ)较高的华海清科（CMP）、盛美上海（清洗）等(děng)收入增长。

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