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夷洲今是何地,夷洲是哪里

夷洲今是何地,夷洲是哪里 半导体突发!中国出手:停止采购!

  大(dà)家好,来看一(yī)则突发消息。

  美光公(gōng)司在华销售的产品(pǐn)未通过网络安(ān)全审查(chá)

  据网信办消息,日前,网络安全审查办公室依法(fǎ)对(duì)美光(guāng)公司在华(huá)销(xiāo)售(shòu)产品进行了网络安全(quán)审(shěn)查。

  审查发(fā)现(xiàn),美光公司产品存(cún)在较严重网络安(ān)全(quán)问题(tí)隐(yǐn)患,对我国关键(jiàn)信(xìn)息基(jī)础设施供应链造成重大安(ān)全风险,影响我国国家安全(quán)。为(wèi)此,网络安(ān)全审(shěn)查办公室(shì)依法作出不予通过网络安全审(shěn)查的结论。按照《网络(luò)安全法》等法律法规,我国内关键信息基础(chǔ)设施(shī)的运营者应停止采购(gòu)美光公司产(chǎn)品(pǐn)。

  此(cǐ)次对(duì)美光公司产品(pǐn)进行网(wǎng)络安全审(shěn)查,目的是(shì)防范产(chǎn)品网(wǎng)络安(ān)全问题危害国家关键信息基(jī)础(chǔ)设(shè)施安全,是维护国家安全(quán)的必(bì)要措施。中国坚(jiān)定(dìng)推进高水平对(duì)外开放,只要遵守(shǒu)中国法(fǎ)律法规要求,欢迎各国企业、各类平台产品服务进入中(zhōng)国市场。

  半导体(tǐ)突发!中国出手:停止采购!

  3月(yuè)31日,中国网信网发文称,为保障(zhàng)关(guān)键信息基础设施供应(yīng)链安全,防范产品(pǐn)问题隐患造成(chéng)网络安全风险(xiǎn),维护(hù)国家安(ān)全,依据《中华(huá)人民共(gòng)和(hé)国(guó)国家安全(quán)法》《中华人民(mín)共和(hé)国(guó)网络安全法》,网(wǎng)络安全审查(chá)办(bàn)公室按照《网络(luò)安全审查办法(fǎ)》,对美光(guāng)公司(Micron)在华销售的产(chǎn)品(pǐn)实施网(wǎng)络安全审查。

  半导体突(tū)发(fā)!中(zhōng)国出(chū)手:停(tíng)止采购(gòu)!

  美光是美国的存(cún)储芯片(piàn)行业龙头,也是全球存储芯(xīn)片巨头之一,2022年收入来自中国市场收入(rù)从此前高峰57%降至(zhì)2022年约11%。根据市(shì)场咨询机构 Omdia(IHS Markit)统(tǒng)计,2021 年三(sān)星电子、 铠侠、西(xī)部(bù)数据、SK 海力士、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash (闪存)市场份额约为 96.76%,三(sān)星电子、 SK 海(hǎi)力士、美光在(zài)全(quán)球 DRAM (内存)市场份(fèn)额(é)约为 94.35%。

  A股上市公(gōng)司中,江波龙、佰维存储等公司披露过美光等国际存储厂商为公司(sī)供应商(shāng)。

  美光在(zài)江波龙采购占比已经显著(zhù)下降,至少(shǎo)已经不是主要大供应商(shāng)。

  公(gōng)告显示, 2021年美光位(wèi)列(liè)江波龙第一(yī)大存储晶(jīng)圆供应商,采购约31亿(yì)元,占比(bǐ)33.52%;2022年,江(jiāng)波龙第一大、第二大(dà)和第(dì)三大(dà)供应商采购金额占比分别是26.28%、22.85%和(hé)5.76%。

<夷洲今是何地,夷洲是哪里p>  目(mù)前江(jiāng)波龙已(yǐ)经在存储产业链上下(xià)游建立国内外(wài)广泛合(hé)作。2022年年(nián)报(bào)显示(shì),江波龙与(yǔ)三星、美光(guāng)、西部数据(jù)等主(zhǔ)要存(cún)储(chǔ)晶圆原(yuán)厂(chǎng)签署了长期(qī)合约(yuē),确保存储晶(jīng)圆(yuán)供应(yīng)的稳定(dìng)性,巩固公司(sī)在下(xià)游市(shì)场的供(gōng)应优势,公司也与国夷洲今是何地,夷洲是哪里内(nèi)国产存储晶圆(yuán)原厂武汉长江存储、合肥长鑫保(bǎo)持良好的(de)合作。

  有券商此前就分析,如果美光在中国(guó)区销售受到限制,或将导致下游客户转而采夷洲今是何地,夷洲是哪里购国外(wài)三星(xīng)、 SK海(hǎi)力士,国内长江存储、长鑫存(cún)储等竞对(duì)产品

  分析(xī)称,长存、长鑫(xīn)的(de)上游(yóu)设备厂或从中受(shòu)益。存储器的生产已(yǐ)经(jīng)演进(jìn)到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的(de)工艺。另(lìng)外NAND Flash现在已(yǐ)经进入3D NAND时(shí)代,2 维到3维的(de)结构(gòu)转变使刻蚀和薄膜(mó)成为最关键、最(zuì)大(dà)量的(de)加工设备。3D NAND每层均(jūn)需要经过薄膜(mó)沉积工艺步骤(zhòu),同时刻蚀目前前沿要刻到 60:1的深孔,未(wèi)来可能会(huì)更深的孔(kǒng)或者沟(gōu)槽,催生更多设备需求。据东京(jīng)电子披露,薄膜沉积(jī)设备及刻(kè)蚀(shí)占3D NAND产(chǎn)线资本开(kāi)支合计为75%。自长江存储被加入美国限制名(míng)单,设备(bèi)国产化进程加(jiā)速,看好(hǎo)拓荆科技(薄膜(mó)沉积)等相关公司份额提升,以及存(cún)储业务占比较(jiào)高的华海(hǎi)清科(CMP)、盛美(měi)上海(清洗)等收入(rù)增长。

 

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