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昆明市属于几线城市,云南最好三个城市

昆明市属于几线城市,云南最好三个城市 半导体突发!中国出手:停止采购!

  大家好,来看一(yī)则突发消息。

  美光公司在华销售的产品未(wèi)通(tōng)过网(wǎng)络(luò)安全(quán)审查

  据网信办(bàn)消息,日前,网络安全(quán)审查办公(gōng)室(shì)依法对美光公司在华销售产品进行了网(wǎng)络安全审查。

  审查(chá)发(fā)现,美光(guāng)公(gōng)司产(chǎn)品存(cún)在较严(yán)重网络安全问题(tí)隐患(huàn),对我(wǒ)国关键信息基础设施供应链造成重大安(ān)全(quán)风险(xiǎn),影(yǐng)响我国国家安全。为(wèi)此,网络(luò)安全审查办公室(shì)依法作出不(bù)予通过网络安全审(shěn)查的结论。按照《网络安(ān)全法》等(děng)法律法(fǎ)规,我国内关键信息基础设(shè)施的运营者(zhě)应(yīng)停(tíng)止采(cǎi)购美(měi)光公司产品。

  此次对美光公司产品进行网络(luò)安全审查,目的是防(fáng)范产品(pǐn)网络(luò)安(ān)全问题危害国家关键信息基础(chǔ)设施安全,是维护国家安全的必要措施(shī)。中国坚定推进高水平对(duì)外开放,只要(yào)遵(zūn)守中国法律(lǜ)法规(guī)要(yào)求,欢迎各国企业、各类平台产品服(fú)务进入中国市场。

  半导体突发!中国出(chū)手(shǒu):停止采(cǎi)购(gòu)!

  3月(yuè)31日,中国网信网发(fā)文称,为保障关键(jiàn)信息基(jī)础设施供应链(liàn)安(ān)全,防范产品问题隐患造成(chéng)网络安全风险,维护国(guó)家安全,依据(jù)《中华人民共和国国家安全法》《中华人民共和国网络安全法》,网络安全审查办(bàn)公室按(àn)照《网(wǎng)络安全审查办法》,对(duì)美(měi)光公司(sī)(Micron)在华销(xiāo)售的产品实(shí)施网(wǎng)络安全审查。

  半导(dǎo)体(tǐ)突发!中国(guó)出手:停止(zhǐ)采购!

  美光是美国的存(cún)储芯片行业龙(lóng)头,也是全球存储芯片巨(jù)头(tóu)之一,2022年收入来(lái)自(zì)中国(guó)市场收入从此前高峰57%降至(zhì)2022年(nián)约11%。根(gēn)据市场(chǎng)咨询机构 Omdia(IHS Markit)统计,2021 年三星(xīng)电子、 铠侠、西部数据、SK 海力(lì)士、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash (闪存(cún))市场份额约为 96.76%昆明市属于几线城市,云南最好三个城市,三(sān)星电子、 SK 海力(lì)士、美光在全球 DRAM (内(nèi)存)市场份额约为 94.35%。

  A股上(shàng)市公司中,江(jiāng)波龙、佰维存储等(děng)公(gōng)司披露过美(měi)光(guāng)等国际存储厂(chǎng)商为公(gōng)司供应商。

  美(měi)光在江(jiāng)波龙采购占比已经显著下降,至少已经不(bù)是主要大供应商。

  公告显示(shì), 2021年(nián)美(měi)光(guāng)位列江(jiāng)波龙第(dì)一大存(cún)储晶圆供应商,采购约31亿元,占比33.52%;2022年,江(jiāng)波(bō)龙(lóng)第一大(dà昆明市属于几线城市,云南最好三个城市)、第二大和第(dì)三大供应商采(cǎi)购金额占比分别是(shì)26.28%、22.85%和5.76%。

  目前江波龙已经(jīng)在存储产(chǎn)业链上(shàng)下游建立国内外广泛合作。2022年年报显(xiǎn)示,江波(bō)龙与三(sān)星、美光、西部数据等(děng)主要存储晶(jīng)圆原厂签署了长期合约,确保(bǎo)存储晶圆供应的(de)稳定性,巩固(gù)公司在下游(yóu)市场的(de)供(gōng)应优势(shì),公司也与(yǔ)国内国产存储晶(jīng)圆原厂武汉长江存储、合肥长(zhǎng)鑫保持良好的合作。

  有(yǒu)券商此前就分析,如果(guǒ)美光在中国区销售(shòu)受到限制,或将导致下游客(kè)户转而采购(gòu)国外(wài)三星、 SK海力士,国内长江存储、长鑫存储等竞(jìng)对产(chǎn)品

  分析称,长存(cún)、长鑫的上游设备厂或从(cóng)中受益。存(cún)储器(qì)的生产已(yǐ)经(jīng)演进到1Xnm、1Ynm甚至(zhì)1Znm的工艺。另外NAND Flash现在已经进(jìn)入3D NAND时代,2 维(wéi)到3维的结构(gòu)转变(biàn)使刻(kè)蚀和(hé)薄膜(mó)成为(wèi)最关键(jiàn)、最大量的加工(gōng)设(shè)备(bèi)。3D NAND每(měi)层均需要(yào)经(jīng)过薄膜沉(chén)积工艺(yì)步(bù)骤,同时刻蚀目前前沿要刻到 60:1的(de)深孔,未来(lái)可能会更深的孔(kǒng)或者沟槽,催生(shēng)更多(duō)设备需求。据东京(jīng)电子(zi)披露,薄膜沉积设备(bèi)及(jí)刻蚀占3D NAND产昆明市属于几线城市,云南最好三个城市线(xiàn)资本开支合(hé)计为75%。自长江存储(chǔ)被加入美国(guó)限制(zhì)名单,设(shè)备国产(chǎn)化(huà)进(jìn)程(chéng)加速(sù),看好(hǎo)拓荆科(kē)技(jì)(薄膜沉积)等相关公司份(fèn)额提升(shēng),以(yǐ)及存(cún)储业务占比较高的(de)华海清科(kē)(CMP)、盛美上海(清洗)等收入增长。

 

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